上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得一项关于cmos图像传感器制造方法的专利授权，专利号为cn114242742b，授权日期为2025年12月6日，申请日期为2025年12月16日，天眼查信息显示。
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该专利描述了一种改进的CMOS图像传感器制造工艺，旨在减少图像中的白点缺陷，同时避免增加生产成本或影响源漏注入工艺。具体步骤如下：首先，在栅极结构侧面形成侧墙，方法是在栅极结构侧面沉积第一介质层，并进行侧墙刻蚀，利用保留在栅极侧面的第一介质层自对准形成侧墙，并在侧墙外保留一定厚度(第一厚度)的第一介质层；其次，在感光二极管区域进行第二导电类型重掺杂离子注入以形成针扎层，利用第一介质层预留的厚度防止离子注入损伤半导体衬底表面；然后，进行侧墙刻蚀后的清洗工艺，此过程会使第一介质层厚度减薄(第二厚度)；最后，进行源漏注入，形成对应的源漏区。 这项创新工艺有效降低了CMOS图像传感器的白点率，同时保持了工艺的经济性和效率。
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